杏彩开号-瑞萨电子推出的第三代MRDIMM 将DDR5内存性能提升至16,000MT/s

【导读】2026 年 7 月 30 日，中国北京讯 - 全世界半导体解决方案供给商瑞萨电子今日公布，推出其第三代（Gen3）DDR5多路复用双列直插内存模块（MRDIMM）芯片组解决方案，可实现高达16,000兆次传输/秒（MT/s）速度的办事器级MRDIMM。该系列解决方案专为应答人工智能（AI）数据中央、云基础举措措施和加快计较事情负载等场景中，日趋增加的内存带宽需求而设计。

瑞萨将在2026年8月4日至6日于美国加利福尼亚州圣克拉拉进行的FMS 2026（存储与内存将来年夜会）上展示第三代MRDIMM内存接口组件（展位号#807），包括撑持下一代MRDIMM机能的第三代多路复用寄放时钟驱动器（MRCD，RRG5013x）及多路复用数据缓冲器（MDB，RRG5103x）。

跟着AI模子范围连续扩展、计较事情负载的数据密集度不停爬升，体系架构师于确保与现有办事器平台兼容的同时，面对着提供更高内存带宽的严重挑战。瑞萨第三代MRDIMM解决方案于沿用现有DDR5基础举措措施的基础上，较第二代方案可实现25%的内存带宽晋升。这象征着办事器平台无需举行倾覆性的架构变动，便可开释更强的机能。

瑞萨连续提供经现场验证且可量产的MRDIMM平台，涵盖MRCD、MDB、电源治理IC（PMIC）、串行存于检测（SPD）集线器和温度传感器。这一平台化计谋使客户可以或许于跨代进级中矫捷扩大MRDIMM机能，同时连结设计的持续性并加快产物部署。

第三代MRDIMM基在成熟的第二代产物架构，于扩大机能的同时保留了尺度DIMM的形状尺寸及体系兼容性。此外，第三代产物还有加强了体系的可视性与稳健性，包括装备平衡自练习模式（DESTM）的质量唆使状况，该功效利用户可以或许微调时序及吸收端平衡练习，从而最年夜化裕量。

除了机能晋升外，瑞萨第三代MRDIMM解决方案于设计时充实思量了体系级能效，旨于帮忙客户于日趋增加的带宽需求与体系层面的散热设计和功耗限定之间取患上均衡。具体的功耗对于比数据将于随附的产物文档中提供。

Amit Goel, Corporate Vice President, Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering, AMD暗示：“AMD持久以来一直致力在撑持开放且基在尺度的技能，这些技能鞭策了数据中央的立异，并跟着AI及HPC事情负载的不停演进而提供了更高的矫捷性。MRDIMM及瑞萨芯片组等下一代内存形态的立异，对于在助力行业实现更高带宽、更高效率以和连续的平台可扩大性至关主要。”

Sameer Kuppahalli, Vice President and General Manager, Memory Interface Division at Renesas暗示：“AI练习及推理事情负载正于从底子上重塑数据中央基础举措措施的体系内存需求，为满意这些事情负载对于内存容量和吞吐量的巨年夜需求，瑞萨始终走于行业前沿，推出了第三代MRDIMM芯片组组件。咱们的客户正采用瑞萨完备的芯片组组件，连续冲破内存吞吐量及容量的界限。”

瑞萨正与领先的CPU和平台互助伙伴慎密协作，鞭策第三代MRDIMM于将来办事器平台中的运用落地，进一步巩固MRDIMM作为下一代AI与云基础举措措施可扩大内存架构的职位地方。

供货信息

瑞萨第三代MRDIMM MRCD（RRG5013x）及MDB（RRG5103x）现已经最先向包括重要DRAM供给商于内的特定客户提供样品，估计将在2027年下半年实现量产供货。